2結(jié)果與分析
2.1碳源對假單胞桿菌BS1生長的影響
圖1碳源對假單孢桿菌BS1生長的影響
結(jié)果如圖1所示，從圖中可以看出，以液體石蠟為碳源的無機(jī)鹽培養(yǎng)基中，假單胞桿菌BS1菌體的生長狀況良好，培養(yǎng)第7 d時(shí)菌懸液的OD640值為2.10。當(dāng)以正辛烷、正庚烷、正己烷為碳源時(shí)，隨著碳鏈長度的減小，菌體的生長狀況逐漸下降，培養(yǎng)第7 d時(shí)菌懸液的OD640值分別為1.31、0.46、0.14；當(dāng)以正己烷為碳源時(shí)，菌體幾乎沒有生長，培養(yǎng)9 d內(nèi)菌懸液的OD640值基本處于同一水平；這可能是由于假單胞桿菌BS1不能利用正己烷、正庚烷為碳源進(jìn)行生長代謝，或是由于正己烷、正庚烷對菌體細(xì)胞產(chǎn)生的毒性，使其生長受到抑制。
2.2接種量對假單胞桿菌BS1生長的影響
圖2接種量對菌株生長的影響
圖2為接種量對假單胞桿菌BS1生長的影響試驗(yàn)結(jié)果，從圖中可以看出：接種量分別為1%、2%時(shí)，菌體生長的延滯期較長（0～3 d），菌體的生長狀況較差，培養(yǎng)第7 d時(shí)菌懸液的OD640值分別為1.63、1.70。當(dāng)接種量分別為5%、7%、10%時(shí)，培養(yǎng)前期（0～4 d）菌體生長較快，但培養(yǎng)后期（4～9 d）菌體的生長狀況不如接種量為3%時(shí)，培養(yǎng)第7 d時(shí)菌懸液的OD640值分別為1.82、1.71、1.66和1.91。
2.3溫度對假單胞桿菌BS1生長的影響
圖3溫度對菌株生長的影響
試驗(yàn)結(jié)果圖3表明，溫度對假單胞桿菌BS1的生長有一定的影響，在25～40℃溫度范圍內(nèi)，菌體均可以生長。溫度為30℃時(shí)，菌體的生長狀況最好，培養(yǎng)第7 d時(shí)菌懸液的OD640值為2.16。其次是溫度為35℃、37℃時(shí)，培養(yǎng)第7天時(shí)菌懸液的OD640值分別為2.09和1.62。當(dāng)溫度為25℃和40℃時(shí)，菌體的生長狀況較差，培養(yǎng)第7 d時(shí)菌懸液的OD640值分別為1.01、0.74。
2.4 pH對假單胞桿菌BS1生長的影響
圖4 pH對假單胞桿菌BS1生長的影響
2.5 NaCl濃度對假單胞桿菌BS1生長的影響
圖5 NaCl濃度對假單胞桿菌BS1生長的影響
NaCl濃度對假單胞桿菌BS1生長的影響試驗(yàn)結(jié)果如圖5所示。結(jié)果表明，假單胞桿菌BS1的生長隨NaCl濃度的增加而逐漸受到抑制。當(dāng)培養(yǎng)基中不添加NaCl（濃度為0）時(shí)，菌體的生長狀況最好，其次是NaCl濃度為1%和3%時(shí)，培養(yǎng)第7 d時(shí)菌懸液的OD640值分別為2.16、2.04和1.74。當(dāng)NaCl濃度為5%時(shí)，菌體的生長明顯受到抑制，培養(yǎng)第7 d時(shí)菌懸液的OD640值為1.20；當(dāng)NaCl濃度為10%和15%時(shí)，菌體幾乎不再生長，這表明過高的鹽濃度不利于假單胞桿菌BS1的生長繁殖。
2.6裝液量對假單胞桿菌BS1生長的影響
圖6裝液量對菌株生長的影響
裝液量對假單胞桿菌BS1生長的影響如圖6所示，試驗(yàn)結(jié)果表明：在250 mL的三角瓶中，裝液量為130 mL時(shí)菌體的生長狀況最好，其次是裝液量為100 mL和160 mL時(shí)，培養(yǎng)第7 d時(shí)菌懸液的OD640值分別為2.08、1.82和1.81；當(dāng)裝液量為70 mL時(shí)，菌體的生長狀況較差，培養(yǎng)第7 d時(shí)菌懸液的OD640值為1.33；當(dāng)裝液量為190 mL時(shí)，菌體的生長狀況最差，培養(yǎng)第7 d時(shí)菌懸液的OD640值為1.15。
2.7適宜培養(yǎng)條件下假單胞桿菌BS1的生長曲線
圖7適宜培養(yǎng)條件下假單胞桿菌BS1的生長曲線
圖7表示假單胞桿菌BS1在適宜培養(yǎng)條件下的生長曲線。從圖中可以看出：0～48 h為菌體生長延滯期，菌體生長比較緩慢，菌體的數(shù)量只有少量增加，是菌體適應(yīng)新環(huán)境和積累能量的階段；48～156 h為菌體快速生長繁殖期，培養(yǎng)液中菌體的數(shù)量急劇增加；156～240 h為菌體生長穩(wěn)定期，菌體細(xì)胞的分裂速度減慢，菌體的生長和死亡速率基本相等；由于培養(yǎng)液中營養(yǎng)物質(zhì)的消耗、營養(yǎng)比例失調(diào)以及代謝廢物的大量積累，菌體細(xì)胞的死亡速度大于分裂產(chǎn)生新細(xì)胞的速度，240 h后為菌體衰亡期。
3討論
碳源是供給菌株各種生命活動(dòng)所需能量和構(gòu)成菌株細(xì)胞及代謝產(chǎn)物的物質(zhì)基礎(chǔ)，因此選擇合適的碳源對菌株的生長有很大的影響。在水性基質(zhì)中，長鏈烷烴的溶解度太?。?0-5～10-10g·L-1），不足以維持微生物的生長；但當(dāng)碳鏈小于C8時(shí)，烷烴會(huì)對細(xì)胞膜的結(jié)構(gòu)造成破壞而產(chǎn)生毒性。試驗(yàn)中，當(dāng)以正辛烷、正庚烷、正己烷為碳源時(shí)，隨著碳鏈長度的減小，假單胞桿菌BS1菌體的生長逐漸受到抑制，分析這可能是由于假單胞桿菌BS1不能利用正己烷、正庚烷為碳源進(jìn)行生長代謝，或是由于正己烷、正庚烷對菌體細(xì)胞產(chǎn)生的毒性，使其生長受到抑制，彭新榜等和李習(xí)武等的研究結(jié)果與此一致。同時(shí)，試驗(yàn)考慮到該假單胞桿菌BS1是從被石油長年污染的土壤中分離而得，而石油中含有蠟質(zhì)成分，故設(shè)置處理以液體石蠟為碳源，結(jié)果表明液體石蠟（主要成分為C16～C20正構(gòu)烷烴）為適宜假單胞桿菌BS1生長的碳源。因此，可用假單胞桿菌BS1來分解植物葉片表面的蠟質(zhì)層，該結(jié)果進(jìn)一步拓寬了假單胞桿菌BS1的應(yīng)用領(lǐng)域。
接種量的大小對微生物生長延滯期和生長速度有一定的影響，是微生物生長過程中的一個(gè)重要控制參數(shù)。試驗(yàn)結(jié)果表明，接種量為1%和2%時(shí)，假單胞桿菌BS1菌體的生長延滯期較長（0～3 d），菌體的生長狀況較差，原因可能是接種量太少影響其生長代謝。當(dāng)接種量分別為5%、7%、10%時(shí)，培養(yǎng)前期（0～4 d）菌體生長較快，但培養(yǎng)后期（4～9 d）菌體的生長狀況不如接種量為3%時(shí)，這可能是因?yàn)榻臃N量過大會(huì)使?fàn)I養(yǎng)物質(zhì)在短間內(nèi)消耗過多，同時(shí)菌體產(chǎn)生大量的代謝物，從而抑制菌體的進(jìn)一步生長。
試驗(yàn)結(jié)果表明溫度對假單胞桿菌BS1菌體的生長有一定的影響，當(dāng)溫度為25℃和40℃時(shí)，菌體的生長狀況較差，這可能就是由于25℃和40℃的環(huán)境溫度影響細(xì)胞的新陳代謝活動(dòng)，使菌體的生長受到抑制。
不同微生物對pH值條件的要求各不相同，它們只能在一定的pH值范圍內(nèi)生長，這個(gè)范圍有寬有窄，而其生長最適pH值常限于一個(gè)較窄的范圍，對pH值條件的不同要求，在一定程度上反映出微生物對環(huán)境的適應(yīng)能力。試驗(yàn)結(jié)果表明，假單胞桿菌BS1菌體生長的適宜pH值為7.0，周群英等報(bào)道的較適宜細(xì)菌生長的pH值在7.5左右與研究結(jié)論基本吻合。
試驗(yàn)結(jié)果表明，培養(yǎng)基中不添加NaCl（濃度為0%）時(shí)，適宜假單胞桿菌BS1菌體的生長，而葉和松對產(chǎn)生物表面活性劑J3、T4假單胞菌株的研究表明，其最佳生長的NaCl濃度為2%、3%，這可能是由于不同的菌株對鹽濃度的適應(yīng)能力有差異所致。同時(shí)，試驗(yàn)結(jié)果還表明，過高的鹽濃度（NaCl濃度在5%～15%）對假單胞桿菌BS1菌體的生長有明顯的抑制作用，這可能是由于高鹽環(huán)境中外滲透壓過高而導(dǎo)致菌體細(xì)胞嚴(yán)重失水收縮，質(zhì)壁分離而死亡。試驗(yàn)在明確適宜假單胞桿菌BS1生長的碳源為液體石蠟的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步摸索出假單胞桿菌BS1液體培養(yǎng)的優(yōu)化條件，為今后生產(chǎn)應(yīng)用假單胞桿菌BS1提供了基礎(chǔ)。
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